RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
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- RF MBEホウ ニ ヨル SiC キバン ジョウ GaN セイチョウ ニ オケル スイソ テンカ コウカ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (369), 7-12, 2000-10-19
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407997482752
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- NII Article ID
- 110003199564
- 110003201183
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
