High-Power-Density 0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Semi-Insulating 6H-SiC Substrates

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High Power Density 0 25マイクロm Gate Length AlGaN GaN High Electron Mobility Transistors on Semi Insulating 6H SiC Substrates

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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45 (1A), 13-17, 2006-01

Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

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