Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting
書誌事項
- タイトル別名
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- Formation of defect free Ge island on insulator by Ni imprint induced Si micro seeding rapid melting
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
- 有機エレクトロニクス
- ユウキ エレクトロニクス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (16), 53-57, 2010-04-23
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408512717056
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- NII論文ID
- 110008001554
- 110008001157
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles