ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
Bibliographic Information
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- ナノゲート In0 7Ga0 3As InAs In0 7Ga0 3As コンポジットチャネル HEMT ニ カンスル モンテカルロ ケイサン
- Monte Carlo simulations of nanogate In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (342), 59-64, 2010-12
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408669248256
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- NII Article ID
- 110008676012
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10936926
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
