Growth rate anomaly in ultralow-pressure chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si(001) using monomethylsilane
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth rate anomaly in ultralow pressure chemical vapor deposition of 3C SiC on Si 001 using monomethylsilane
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 50 (1), 010203-, 2011-01
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408772245120
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- NII論文ID
- 40017446817
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
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- NDL書誌ID
- 10948833
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles