14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのVtおよびGmばらつき抑制技術
書誌事項
- タイトル別名
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- 14nm セダイ イコウ ニ ムケタ アモルファス キンゾク ゲート ニ ヨル FinFET ノ Vt オヨビ Gmバラツキ ヨクセイ ギジュツ
- Suppressing Vt and Gm Variability of FinFETs Using Amorphous Metal Gates for 14nm and Beyond
- シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス ・ IEDM トクシュウ(センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ)
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (421), 1-4, 2013-01-30
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408975562368
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- NII論文ID
- 110009728050
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 024262777
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles