書誌事項
- タイトル別名
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- SiC-MOSFET ニ オケル タンラク タイリョウ ト トクセイ オン テイコウ ノ トレードオフ カンケイ ノ ヒョウカ
- Evaluation of the trade-off between specific on-resistance and short-circuit ruggedness of SiC-MOSFETs
- 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
- デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (52-65・67-73), 19-22, 2017-11-20
東京 : 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410014106880
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- NII論文ID
- 40021407763
- 40021407430
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
