解説(311)A面GaAs段差基板上にMBE成長により作製した模型P-n接合光電子デバイス
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- カイセツ 311 Aメン GaAs ダンサ キバン ジョウ ニ MBE セイチョウ ニ ヨリ サクセイ シタ モケイ P-n セツゴウ コウデンシ デバイス
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- 応用物理
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応用物理 68 (12), 1359-1365, 1999-12
東京 : 応用物理学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410251561600
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- NII Article ID
- 10004651382
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- NII Book ID
- AN00026679
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- ISSN
- 03698009
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- NDL BIB ID
- 4928366
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
