固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
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- コソウ ケッショウ セイチョウホウ ニ ヨリ サクセイ サレタ lateral Power MOS FET ノ オンド トクセイ ノ デバイスパラメータ イゾンセイ
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- 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
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電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 82 (6), 308-313, 1999-06
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410305761536
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- NII Article ID
- 110003315196
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- NII Book ID
- AN10071294
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- ISSN
- 09151907
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- NDL BIB ID
- 4780661
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles