Effects of Si Doping on Phase Transition of Ge2Sb2Te5 Films by in situ Resistance Measurements
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
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Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45 (12-16), L349-351, 2006-04
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520010380597234688
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- NII論文ID
- 10018157638
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- NII書誌ID
- AA11906093
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 7893584
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
