特集　半導体　次の担い手：第２部＜技術編＞　モバイル端末を軽く長持ちに　低電力／小面積にしのぎを削る

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  • 技術編 モバイル端末を軽く長持ちに 低電力/小面積にしのぎを削る
  • ギジュツヘン モバイル タンマツ オ カルク ナガモチ ニ テイデンリョク/ショウメンセキ ニ シノギ オ ケズル
  • 技術編 モバイル端末を軽く長持ちに 低電力/小面積にしのぎを削る
  • 特集 半導体 次の担い手
  • トクシュウ ハンドウタイ ツギ ノ ニナイテ

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抄録

（1）のトランジスタでは、「（2013年に量産が始まる）20nm世代でバルクCMOSトランジスタが微細化限界を迎えるため、新しい構造が必要になる」（Samsung社のJeong氏）。これに応える技術として脚光を浴びたのが、完全空乏型SOI（FDSOI）トランジスタだ。SOI基板上の薄い…

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