高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520290882753614848

• NII論文ID

  110004750675

  110004776308

• NII書誌ID

  AA1123312X

• ISSN

  09135685

• NDL書誌ID

  7977245

  7977559

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/7977245

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7977245

  http://id.ndl.go.jp/bib/7977559

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7977559

• 本文言語コード

  ja

• NDL 雑誌分類

  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles