Investigation and Modeling of Stress Interactions on 90nm Silicon on Insulator Complementary Metal Oxide Semiconductor by Various Mobility Enhancement Approaches
書誌事項
- タイトル別名
-
- Special Issue: Solid State Devices & Materials
- Special Issue Solid State Devices Materials
この論文をさがす
抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
-
- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
-
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45 (4B), 3049-3052, 2006-04
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290882926669056
-
- NII論文ID
- 40007238438
-
- NII書誌ID
- AA10457675
-
- ISSN
- 00214922
- 13474065
-
- NDL書誌ID
- 7894554
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles