量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- リョウシ ホセイ モンテ カルロ シミュレーション ニ ヨル ヒSi ザイリョウ nチャネル MOSFET ノ デンリュウ クドウリョク ヒョウカ
- Comparative study on drive current of non-Si n-channel MOSFETs based on quantum-corrected Monte Carlo simulation
- VLSI設計技術
- VLSI セッケイ ギジュツ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (295), 5-10, 2007-10-30
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882928455680
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- NII Article ID
- 110006452223
- 110006450329
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles