書誌事項
- タイトル別名
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- ニジュウ リョウシ ドット Siタンデンシ トランジスタ ニ オケル デンシスウ ヘンカ ニ ヨル トクセイ ヒョウカ
- Characteristics of double quantum dot Si single-electron transistor caused by the number change of electrons in quantum dot
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (445), 53-58, 2013-02
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883015623808
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- NII論文ID
- 110009728441
- 110009728550
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles