AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響
Bibliographic Information
- Other Title
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- AlGaN GaN HFET ノ ヒョウメン バリア タカサ ニ タイスル デバイスプロセスチュウ ヒョウメン サンカ ノ エイキョウ
- Effects of surface oxidation during device processing on surface barrier height of AlGaN/GaN HFETs
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (80), 31-35, 2010-06
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883021277696
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- NII Article ID
- 110007890033
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10751121
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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