X線光電子分光法によるSiO₂/β-Ga₂O₃界面のバンドアライメント評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Xセン コウデンシ ブンコウホウ ニ ヨル SiO ₂/v-Ga ₂ O ₃ カイメン ノ バンドアライメント ヒョウカ
- Band alignment at SiO₂/β-Ga₂O₃ interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (156), 21-24, 2015-07
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883034478848
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- NII論文ID
- 40020559844
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 026678846
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles