Amorphous indium gallium zinc oxide semiconductor thin film transistors using O2 plasma treatment on the SiNx gate insulator
書誌事項
- タイトル別名
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- Special issue: Dry process
- Special issue Dry process
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 49 (8), 2010-08
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883038446080
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- NII論文ID
- 40017253840
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 10793880
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles