書誌事項
- タイトル別名
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- High カッパ ゲート ゼツエン マク オ ユウスル p MOSFET ニ オケル ドレイン デンリュウ ノ ヘンドウ ゲート ゼツエン マクチュウ トラップ ニ ヨル タンイツ セイコウ ノ ホカク ホウシュツ ノ エイキョウ
- Drain current fluctuation in high-κ dielectric p-MOSFETs: effects of single-hole capture/emission by the traps in high-κ dielectric
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (139), 7-10, 2008-07
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883083351296
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- NII論文ID
- 110006975879
- 110006967552
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles