Performance enhancement by local strain in <110> channel n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on (111) substrate
書誌事項
- タイトル別名
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- Performance enhancement by local strain in 110 channel n channel metal oxide semiconductor field effect transistors on 111 substrate
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 46 (9A), 5715-5718, 2007-09
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883134410752
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- NII論文ID
- 40015602575
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- NII書誌ID
- AA10457675
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 8909152
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles