MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520290883252736768

• NII論文ID

  110003175659

  110003309312

  110003175188

• NII書誌ID

  AA1123312X

• ISSN

  09135685

• NDL書誌ID

  6995059

  6995058

  6994931

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/6995059

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6995059

  http://id.ndl.go.jp/bib/6995058

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6995058

  http://id.ndl.go.jp/bib/6994931

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6994931

• 本文言語コード

  ja

• NDL 雑誌分類

  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles