Vox/Eox-Driven Breakdown of Ultrathin SiON Gate Dielectrics in p-Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors under Low-Voltage Inversion Stress
書誌事項
- タイトル別名
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- Vox Eox Driven Breakdown of Ultrathin SiON Gate Dielectrics in p Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors under Low Voltage Inversion Stress
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 46 (1), 7-13, 2007-01
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883394799232
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- NII論文ID
- 10018704015
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- NII書誌ID
- AA10457675
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
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- NDL書誌ID
- 8605304
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
