Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor
Bibliographic Information
- Other Title
-
- Lateral liquid phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor
- Silicon devices and materials
- Silicon devices and materials
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (98), 177-180, 2009-06
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290883402346880
-
- NII Article ID
- 110007360132
- 110007338299
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- Text Lang
- en
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles
