Asymmetric hysteresis loops and leakage current behaviors in Au/PZT/Pt/Al2O3/SiO2/Si thin films prepared by MOCVD method
書誌事項
- タイトル別名
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- Asymmetric hysteresis loops and leakage current behaviors in Au PZT Pt Al2O3 SiO2 Si thin films prepared by MOCVD method
- MOCVD法によって作製されたAu/PZT/Pt/Al2O3/SiO2/Si薄膜の非対称ヒステリシス曲線および漏洩電流
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収録刊行物
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- 材料技術 = Material technology
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材料技術 = Material technology 28 (2), 77-83, 2010
[東京] : 材料技術研究協会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883403303296
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- NII論文ID
- 40017222928
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- NII書誌ID
- AN1005644X
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- ISSN
- 02897709
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- NDL書誌ID
- 10775045
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM16(科学技術--科学技術一般--工業材料・材料試験)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles