選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
Bibliographic Information
- Other Title
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- センタク セイチョウホウ ニ ヨル シリコン キバン ジョウ エ ノ GaN ドットレツ ノ サクセイ
- 単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御 ; ナノ構造形成
- タン デンシ リョウシ コウカ デバイス オ フクム ゴク ビサイ デバイス ト ソノ カイメン セイギョ ; ナノ コウゾウ ケイセイ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (641), 25-30, 2001-02-28
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883528956928
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- NII Article ID
- 110003201242
- 110003310721
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
- CiNii Articles
