InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて--発光素子から太陽電池への展開

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タイトル別名

InNケイチッカブツハンドウタイチョウハクマクヒタイショウリョウシイドコウゾウノシンキヒカリデバイスカイハツニムケテハッコウソシカラタイヨウデンチエノテンカイ
Proposal of ultrathin InN-based asymmetric structure 3-N QWs for novel photonic devices: development from emitters into solar cells
電子デバイス
デンシデバイス

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (288), 79-82, 2009-11

東京 : 電子情報通信学会