抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
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- テイコウ ヘンカ メモリ ノ ネツ ハンノウ モデル オ モチイタ リセット ドウサ ノ ケントウ
- Reset switching mechanism of ReRAM using thermal reaction model
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (593), 7-10, 2007-03-15
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883688188544
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- NII Article ID
- 110006248475
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 8706708
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
