招待講演 Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In₀.₈Ga₀.₂As quantum-well
書誌事項
- タイトル別名
-
- ショウタイ コウエン Evaluation of transistor performance in single and double d-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In ₀.₈ Ga ₀.₂ As quantum-well
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (375), 1-5, 2016-12
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290883815089152
-
- NII論文ID
- 40021060778
-
- NII書誌ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL書誌ID
- 027844099
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles