表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル
Bibliographic Information
- Other Title
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- ヒョウメン ポテンシャル オ モチイタ ハクマク トランジスタ ノ ドレイン デンリュウ モデル
- Surface-potential-based drain current model for thin-film transistors
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (278), 19-22, 2009-11
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884027362432
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- NII Article ID
- 110007504677
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10479379
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles