SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性
Bibliographic Information
- Other Title
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- SiN ハクマク ジョウ ニ ケイセイ サレタ エキシマ レーザ アニールホウ ニ ヨル Poly Si ハクマク ノ ケッショウセイ
- 低温ポリSi TFTと有機EL技術
- テイオン ポリ Si TFT ト ユウキ EL ギジュツ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (16), 15-18, 2001-04-19
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884308143104
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- NII Article ID
- 110003201342
- 110003310819
- 40004671127
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles