MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlXGa1-XN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520290884327170176

• NII論文ID

  110003175004

  10011864893

  110003306836

  110003175428

• NII書誌ID

  AA1123312X

• ISSN

  09135685

• NDL書誌ID

  6767841

  6768745

  6768846

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/6767841

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6767841

  http://id.ndl.go.jp/bib/6768745

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6768745

  http://id.ndl.go.jp/bib/6768846

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6768846

• 本文言語コード

  ja

• NDL 雑誌分類

  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)

• データソース種別

  • NDLサーチ
  • CiNii Articles