MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成AlXGa1-XN/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
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- MOVPEホウ ニ ヨル 100mmケイ サファイア キバン ジョウ エ ノ コウAl ソセイ AlXGa1 XN GaN HEMT コウゾウ ノ セイチョウ ト ソノ トクセイ ヒョウカ
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103 (342), 15-19, 2003-10-03
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884327170176
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- NII Article ID
- 110003175004
- 10011864893
- 110003306836
- 110003175428
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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