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ディープリセス構造によるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
Bibliographic Information
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- ディープリセス コウゾウ ニ ヨル ノーマリオフガタ GaN MOSFETs ノ タンチャンネル コウカ カイゼン
- Improvement of Short-Channel Effects in Normally-off GaN MOSFETs with Deep Recessed-Gate Structure
- 電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ コウキノウ カゴウブツ ハンドウタイ エレクトロニクス ギジュツ ト ショウライ システム エ ノ オウヨウ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2020 (36-44), 7-10, 2020-03
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884964202880
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- NII Article ID
- 40022216431
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- NDL BIB ID
- 030376627
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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