AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減
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- Other Title
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- AlGaN/GaN HEMT エ ノ ゲンシソウ エッチング ニ ヨル プラズマ ユウキ ダメージ ノ テイゲン
- Reduction of plasma-induced damage on AlGaN/GaN HEMT by atomic layer etching
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (42-51), 19-22, 2017-03
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884989537920
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- NII Article ID
- 40021167669
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- NDL BIB ID
- 028118897
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
