シリコンにおける熱酸化積層欠陥の1200℃以上での成長と縮小

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  • シリコン ニ オケル ネツ サンカ セキソウ ケッカン ノ 1200ドC イジ

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記事分類: 物理学--分子・物性--結晶

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