GaAsおよびSi中のErの4f殻発光強度の増強
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- GaAs オヨビ Siチュウ ノ Er ノ 4f カク ハッコウ キョウド ノ
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- 応用物理
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応用物理 65 (2), 138-142, 1996-02
東京 : 応用物理学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290885232274304
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- NII Article ID
- 10001757029
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- NII Book ID
- AN00026679
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- ISSN
- 03698009
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- NDL BIB ID
- 3924701
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles