Influence of k・p Formalisms on the Band Structure of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs Quantum Well: A Comparison of 8-Band and 10-Band Models
書誌事項
- タイトル別名
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- Influence of k p Formalisms on the Band Structure of InxGa1 xAs1 yNy GaAs Quantum Well A Comparison of 8 Band and 10 Band Models
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
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Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 44 (20-23), L658-661, 2005
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520291855156475008
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- NII論文ID
- 10016150725
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- NII書誌ID
- AA11906093
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 7339213
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles