Monolithic integration of Si-interband tunneling diodes with a MOSFET for ultralow voltage operation static random access memory
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- Monolithic integration of Si interband tunneling diodes with a MOSFET for ultralow voltage operation static random access memory
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Journal
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- FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編]
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FEDジャーナル / 新機能素子研究開発協会 [編] 11 (-), 15-20, 2000
東京 : 新機能素子研究開発協会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520291855185006848
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- NII Article ID
- 40005685890
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- NII Book ID
- AN10190078
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- ISSN
- 09182772
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- NDL BIB ID
- 6456053
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- Text Lang
- en
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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