シミュレーションを活用したSiCデバイスの原子レベルの解析
Bibliographic Information
- Other Title
-
- シミュレーション オ カツヨウ シタ SiC デバイス ノ ゲンシ レベル ノ カイセキ
- Atomic Level Analysis of SiC Devices Using Numerical Simulation
- 特集 製品開発を支えるシミュレーション技術
- トクシュウ セイヒン カイハツ オ ササエル シミュレーション ギジュツ
Search this article
Journal
-
- 富士電機技報 = Fuji Electric journal
-
富士電機技報 = Fuji Electric journal 89 (1), 21-25, 2016-03
東京 : 富士電機技術開発本部 ; 2012-
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520291855208282240
-
- NII Article ID
- 40020833934
-
- NII Book ID
- AA12576063
-
- ISSN
- 21871817
-
- NDL BIB ID
- 027320074
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles