High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact
書誌事項
- タイトル別名
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- High On Off Ratio in Enhancement Mode AlxGa1 xN GaN Junction Heterostructure Field Effect Transistors with P Type GaN Gate Contact
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
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Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45 (37-41), L1048-1050, 2006-10
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520291855467702784
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- NII論文ID
- 10018340710
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- NII書誌ID
- AA11906093
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 8519967
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles