Interference Effects of Г and X electric-Break-Throughs in Inversion Layers of Si
書誌事項
- タイトル別名
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- Interference Effects of G and X electri
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抄録
記事分類: 物理学--分子・物性--半導体
収録刊行物
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- Journal of the Physical Society of Japan
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Journal of the Physical Society of Japan 46 (3), p855-860, 1979-03
Tokyo : Physical Society of Japan
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520291855724936576
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- NII論文ID
- 110001964328
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- NII書誌ID
- AA00704814
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- ISSN
- 00319015
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- NDL書誌ID
- 2043610
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles