標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性
書誌事項
- タイトル別名
-
- ヒョウジュン CMOS プロセス デ サクセイ サレタ APD ノ ジュコウ トクセイ ノ ハチョウ イソンセイ
- Wavelength-dependent photodetection characteristics of APDs fabricated by standard CMOS process
- レーザ・量子エレクトロニクス
- レーザ ・ リョウシ エレクトロニクス
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (52), 37-41, 2016-05
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520572357339156864
-
- NII論文ID
- 40020849701
-
- NII書誌ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL書誌ID
- 027375598
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles