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歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
Bibliographic Information
- Other Title
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- ワイ Si ナノワイヤ トランジスタ ニ オケル トランスコンダクタンス エンハンスメント
- Transconductance enhancement of strained-Si nanowire FETs
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (80), 35-39, 2008-06
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357490080640
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- NII Article ID
- 10030999327
- 110006951302
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- NII Book ID
- AN10013254
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 9572399
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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