Effect of gas mixing ratio on etch behavior of Y2O3 thin films in Cl2/Ar and BCl3/Ar inductively coupled plasmas
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- Effect of gas mixing ratio on etch behavior of Y2O3 thin films in Cl2 Ar and BCl3 Ar inductively coupled plasmas
- Special issue: Dry process
- Special issue Dry process
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 49 (8), 2010-08
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357601950720
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- NII論文ID
- 40017253830
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 10793764
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles