Effects of strained silicon layer on nickel (germano)silicide for nanoscale complementary metal oxide semiconductor field-effect transistor device
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- タイトル別名
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- Effects of strained silicon layer on nickel germano silicide for nanoscale complementary metal oxide semiconductor field effect transistor device
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 47 (10), 7771-7774, 2008-10
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357629731584
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- NII論文ID
- 40016281741
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
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- NDL書誌ID
- 9682110
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles