Worst-Case Analysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability
書誌事項
- タイトル別名
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- Worst Case Analysis to Obtain Stable Read Write DC Margin of High Density 6T SRAM Array with Local Vth Variability
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (2), 95-100, 2006-04
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357695534848
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- NII論文ID
- 110004718934
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 7903295
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles