Boosted Gate MOS(BGMOS):デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520572357847231872

• NII論文ID

  110003201144

  110003317660

  110003310637

• NII書誌ID

  AA1123312X

• ISSN

  09135685

• NDL書誌ID

  5482614

  5482477

  5482329

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/5482614

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5482614

  http://id.ndl.go.jp/bib/5482477

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5482477

  http://id.ndl.go.jp/bib/5482329

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5482329

• 本文言語コード

  ja

• NDL 雑誌分類

  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)

• データソース種別

  • NDL
  • CiNii Articles