アンモニアガスを用いた液相成長法によるGaN薄膜の成長 : 成長原理、新成長装置作製に関して
書誌事項
- タイトル別名
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- アンモニアガス オ モチイタ エキソウ セイチョウホウ ニ ヨル GaN ハクマク ノ セイチョウ : セイチョウ ゲンリ 、 シン セイチョウ ソウチ サクセイ ニ カンシテ
- Liquid Phase Epitaxy of GaN Thin Layer using Ammonia : Principle of LPE Growth and Preparation of New Growth Equipment
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収録刊行物
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- 名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編
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名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編 (16), 125-128, 2011
名古屋 : 名城大学総合研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357890686080
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- NII論文ID
- 40020146047
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- NII書誌ID
- AN10581869
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- ISSN
- 13448099
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- NDL書誌ID
- 025628013
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles