シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化
書誌事項
- タイトル別名
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- シリコン キバン エ ノ H/He イオン ショウシャ ニ ヨル ソンシツ テイゲン ト ヒ ユウデンリツ ノ ヘンカ
- Dielectric Constant Change of Silicon Substrate after H/He Ion Irradiation for Loss Reduction
- エレクトロニクスシミュレーション
- エレクトロニクスシミュレーション
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (42), 19-23, 2019-05-17
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357910539264
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- NII論文ID
- 40021912776
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 029722237
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles