MOCVD法によるGaAs,GaAlAsのエピタキシャル成長
書誌事項
- タイトル別名
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- MOCVDホウ ニヨル GaAs GaAlAs ノ エピタキシャル セイチョウ
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説明
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
収録刊行物
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- 豊田研究報告 = Reports of Toyota Physical and Chemical Research Institute
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豊田研究報告 = Reports of Toyota Physical and Chemical Research Institute (34), p16-20, 1981-05
長久手 : 豊田理化学研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357948032384
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- NII論文ID
- 40002752464
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- NII書誌ID
- AN00176150
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- ISSN
- 0372039X
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- NDL書誌ID
- 2315083
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles